系列圆形霍尔等离子源的特点简介

 

结构先进[imgid=0]

 

充分借鉴国际先进的霍尔离子源的优点，引入具有独立知识产权的水冷和密封结构，使得离子源能够在很大的等离子体束流下长期稳定工作，其最高放电电压已达到或超过国际同类产品指标，在国内率先用霍尔离子源制备出高质量类金刚石薄膜。本等离子体源正在申请国际专利。

 

等离子体束流大

 

为避免基片损伤，在工件装卡量大的工业离子束辅助镀膜时，需要采用低能量大束流的等离子体进行辅助镀膜。以往国内采用的等离子体源多因束流小（<1.5A）而很难达到理想的辅助镀膜效果。为此，本公司在大功率霍耳等离子体源的设计与制造技术上取得突破，提供在大束流下(>4A)长期稳定工作的等离子体源。

 

可在高温环境下长期可靠工作

 

在通常镀膜工艺下，被镀基片或工件需加热至很高温度，因此真空室内温度同样很高。为此，本等离子体源采用特殊结构设计保证离子源在300℃的高温环境下能够正常工作。

 

完全适用于反应气体

 

在离子束辅助反应沉积镀膜过程中，通常需要用反应气体，如氧气或氮气等，与蒸发的膜料进行反应沉积所需薄膜，在此过程中增加反应气体的活性和能量，对形成高质量薄膜至关重要。 本等离子体源可以在完全通入反应气体将其离化的条件下不出现中毒现象而正常工作。

 

悬浮电位显示

 

在离子束辅助沉积的过程中，等离子体的中和状态对成膜的质量至关重要，等离子体呈正电性会造成真空室放电，从而导致薄膜被污染。为此本离子源引入了悬浮电位的显示装置，对样品表面的带电状态进行实时监测，以改变灯丝电流调整等离子体的中和状态，增加镀膜过程的可控性。

 

安装简便、维护简单运行成本低

 

基于独特的密封结构，本离子源的安装非常简单，只需3个直径大于等于30毫米的通孔即可。

与其它类型离子源相比较，霍尔源运行成本很低，主要是灯丝的消耗。由于没有加速栅极，所以日常维护工作主要是更换灯丝。

 

空间均匀性强

 

基于独特的磁路和放电区结构的设计，在以离子源轴线为中心20度的圆锥内等离子态的强度均匀性可保持在±20%以内。

 

操作简单

 

基于驱动电源的独特设计，使得离子源的操作简单，通过调节离子源的放电电流以及灯丝电流即可使离子源稳定工作。[imgid=0]